MOSFET Infineon, canale N, 21,6 mΩ, 9,7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

9,7 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

21,6 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.35V

Tensione di soglia gate minima

1.35V

Dissipazione di potenza massima

2 W

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

4mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Minima temperatura operativa

-55 °C