MOSFET Infineon, canale N, 11 mΩ, 61 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
165-6749
Codice costruttore:
AUIRFZ48Z
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

61 A

Tensione massima drain source

55 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

11 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

91 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

10.67mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Carica gate tipica @ Vgs

43 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.83mm

Altezza

16.51mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MX

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon


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