MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-6855
Codice costruttore:
STB60NF06LT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

STripFET II

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35 mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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