MOSFET Infineon, canale N, 190 mΩ, 17,5 A, TO-247, Su foro
- Codice RS:
- 165-8109
- Codice costruttore:
- IPW65R190CFDFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto discontinuato
- Codice RS:
- 165-8109
- Codice costruttore:
- IPW65R190CFDFKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Non applicabile
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CFD, 17,5A di corrente di scarico continua massima, 151W di dissipazione di potenza massima - IPW65R190CFDFKSA1
Questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alte prestazioni e offre efficienti capacità di commutazione che migliorano la funzionalità dei circuiti elettronici. È ampiamente utilizzato nella conversione e nella gestione dell'energia, in quanto gestisce efficacemente tensioni e correnti elevate, rendendolo fondamentale per numerosi progetti di automazione e installazione elettrica. Con una tensione massima di drain-source di 700 V, soddisfa i rigorosi requisiti dei moderni progetti elettronici.
Caratteristiche e vantaggi
• Supporta una corrente di scarico continua massima di 17,5A per prestazioni affidabili
• La bassa resistenza di drain-source, pari a 190mΩ, aumenta l'efficienza
• Funziona a una temperatura massima di +150°C per una maggiore durata
• Utilizza una modalità di potenziamento, che consente un controllo preciso del flusso elettrico
• Viene fornito in un versatile pacchetto TO-247 per facilitare l'implementazione e l'integrazione
• Adatto sia per i processi di assemblaggio a foro passante che per quelli automatizzati
• La bassa resistenza di drain-source, pari a 190mΩ, aumenta l'efficienza
• Funziona a una temperatura massima di +150°C per una maggiore durata
• Utilizza una modalità di potenziamento, che consente un controllo preciso del flusso elettrico
• Viene fornito in un versatile pacchetto TO-247 per facilitare l'implementazione e l'integrazione
• Adatto sia per i processi di assemblaggio a foro passante che per quelli automatizzati
Applicazioni
• Utilizzato nei sistemi di energia rinnovabile, come gli inverter solari
• Impiegato nelle stazioni di ricarica dei veicoli elettrici per un trasferimento efficiente dell'energia
• Integrato nei sistemi di automazione industriale per un controllo efficace dei motori
• Applicabile nei circuiti di alimentazione che richiedono MOSFET di potenza ad alta efficienza
• Adatto all'elettronica di consumo che necessita di una commutazione ad alta tensione compatta e affidabile
• Impiegato nelle stazioni di ricarica dei veicoli elettrici per un trasferimento efficiente dell'energia
• Integrato nei sistemi di automazione industriale per un controllo efficace dei motori
• Applicabile nei circuiti di alimentazione che richiedono MOSFET di potenza ad alta efficienza
• Adatto all'elettronica di consumo che necessita di una commutazione ad alta tensione compatta e affidabile
Qual è il significato della tensione massima di soglia del gate?
La tensione massima di soglia del gate è importante per garantire il funzionamento efficace del dispositivo, definendo la tensione minima necessaria per la commutazione e migliorando così l'affidabilità dei progetti di circuito.
Questo componente è in grado di gestire ambienti ad alta temperatura?
Sì, può operare in sicurezza a temperature fino a +150°C, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta temperatura come i sistemi automobilistici e industriali.
In che modo il basso valore di Rds(on) è vantaggioso per il mio progetto di circuito?
Una Rds(on) più bassa riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza complessiva dei sistemi di conversione di potenza e riducendo al minimo la generazione di calore, fondamentale per l'affidabilità.
Che tipo di connessioni elettriche supporta?
Supporta il montaggio a foro passante, rendendolo compatibile con le linee di assemblaggio automatizzate e con i metodi di saldatura tradizionali.
È compatibile con le applicazioni ad alta tensione?
Sì, è stato progettato specificamente per applicazioni ad alta tensione con una tensione massima di drain-source di 700 V, assicurando la versatilità in vari ambienti difficili.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 17,5 A |
Tensione massima drain source | 650 V |
Serie | CoolMOS™ CFD |
Tipo di package | TO-247 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 190 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Dissipazione di potenza massima | 151 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Larghezza | 5.21mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Carica gate tipica @ Vgs | 68 nC a 10 V |
Lunghezza | 16.13mm |
Materiale del transistor | Si |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Tensione diretta del diodo | 0.9V |
Altezza | 21.1mm |