MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, SOT-346, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8326
Codice costruttore:: DMN1019USN-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, SOT-346, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,096 €

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0,117 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,096 €	288,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8326
Codice costruttore:: DMN1019USN-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN1019USN, 12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11 A
Tensione massima drain source	12 V
Tipo di package	SOT-346
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.8V
Tensione di soglia gate minima	0.35V
Dissipazione di potenza massima	1,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	1.7mm
Lunghezza	3.1mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	50,6 nC a 8 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.3mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 41 mΩ, 11 A, SOT-346, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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