MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 11.5 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 165-8398
- Codice costruttore:
- DMN3010LK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
522,50 €
(IVA esclusa)
637,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 22 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,209 € | 522,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 165-8398
- Codice costruttore:
- DMN3010LK3-13
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 43A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | DMN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.75V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.2mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Larghezza | 6.7 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 43A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie DMN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.75V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 37nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.2mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Larghezza 6.7 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
Link consigliati
- MOSFET DiodesZetex 11 43 A Montaggio superficiale
- MOSFET onsemi 20 mΩ5 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 24 mΩ9 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 50 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 18 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 14 39 A Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 99 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET DiodesZetex 140 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
