MOSFET onsemi, canale N, P, 442 mΩ, 700 mΩ, 600 mA, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
166-1651
Codice costruttore:
FDG6332C
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

600 mA, 700 mA

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-363

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

442 mΩ, 700 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.3V

Dissipazione di potenza massima

300 mW

Configurazione transistor

Isolato

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Larghezza

1.25mm

Carica gate tipica @ Vgs

1,1 nC a 4,5 V, 1,4 nC a 4,5 V

Lunghezza

2mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1mm

MOSFET doppio a canale N per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati