MOSFET onsemi, canale N 900 V, 1.4 Ω Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

182,05 €

(IVA esclusa)

222,10 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 850 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 503,641 €182,05 €
100 +3,423 €171,15 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
166-1889
Codice costruttore:
FQP9N90C
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

900V

Tipo di package

TO-220

Serie

QFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

205W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N QFET® da 6 A a 10,9 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® di Fairchild Semiconductor adottano un'avanzata tecnologia brevettata al fine di offrire le migliori prestazioni operative della categoria per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, correzione del fattore di potenza (PFC), convertitori c.c.-c.c., display al plasma (PDP), resistenze di illuminazione, e controllo del movimento.

Garantiscono ridotte perdite allo stato attivo grazie a una minore resistenza (RDS(on)) e ridotte perdite di commutazione grazie a una minore carica di gate (Qg) e capacità di uscita (Coss). L'avanzata tecnologia di processo QFET® consente a Fairchild di offrire un migliore fattore di merito (FOM) rispetto ai dispositivi MOSFET planari della concorrenza.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.