MOSFET onsemi, canale P, 530 mΩ, 5,7 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
166-2169
Codice costruttore:
FQP8P10
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

5,7 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220

Serie

QFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

530 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

65 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

12 nC a 10 V

Altezza

16.3mm

Minima temperatura operativa

-55 °C