MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-2550
Codice costruttore:: FDB088N08
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 800)**

1,241 €

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1,514 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
800 +	1,241 €	992,80 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2550
Codice costruttore:: FDB088N08
Costruttore:: onsemi

FDB088N08, PowerTrench 75V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
Product Change Notification

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	75 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	91 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	11.33mm
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 8,8 mΩ, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® oltre 60 A, Fairchild Semiconductor

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