MOSFET IXYS, canale Tipo N 40 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 600 A, 24 Pin, SMPD, Superficie

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Codice RS:
168-4791
Codice costruttore:
MMIX1T600N04T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

600A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SMPD

Serie

GigaMOS, HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

590nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

25.25mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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