MOSFET IXYS, canale Tipo N 55 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 550 A, 24 Pin, SMPD, Superficie
- Codice RS:
- 168-4794
- Codice costruttore:
- MMIX1T550N055T2
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 20 unità*
828,76 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 20 + | 41,438 € | 828,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4794
- Codice costruttore:
- MMIX1T550N055T2
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 550A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | SMPD | |
| Serie | GigaMOS, HiperFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 24 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 830W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 595nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 25.25mm | |
| Larghezza | 23.25 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 550A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package SMPD | ||
Serie GigaMOS, HiperFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 24 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 830W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 595nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 25.25mm | ||
Larghezza 23.25 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS