MOSFET IXYS, canale Tipo N 55 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 550 A, 24 Pin, SMPD, Superficie

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Codice RS:
168-4794
Codice costruttore:
MMIX1T550N055T2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

550A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SMPD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

830W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

595nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

25.25mm

Altezza

5.7mm

Larghezza

23.25 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ GigaMOS™ IXYS


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