MOSFET STMicroelectronics, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro

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Codice RS:
168-7085
Codice costruttore:
STF25N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

25 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

TO-220FP

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

35 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4.5V

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.6mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

14 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

16.4mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.


Transistor MOSFET, STMicroelectronics

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