MOSFET DiodesZetex, canale N, 2,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 169-4123P
Codice costruttore:: ZVN4106FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 2,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 169-4123P
Codice costruttore:: ZVN4106FTA
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,5 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	3.05mm
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 2,5 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc