MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 100 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

4 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

100 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

1,25 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Carica gate tipica @ Vgs

8,6 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3.1mm

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.7mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.2mm