MOSFET Microchip, canale N 400 V, 25 Ω Depletion, 120 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante
- Codice RS:
- 170-4341
- Codice costruttore:
- DN2540N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,90 € | 900,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-4341
- Codice costruttore:
- DN2540N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Serie | DN2540 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 25Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Larghezza | 4.19mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Serie DN2540 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20, +20V | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 5.33mm | ||
Larghezza 4.19mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TH
Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Caratteristiche
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Applicazioni
Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni