- Codice RS:
- 170-4348
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Aggiunto
Prezzo per Cadauno (in un sacchetto da 1000)
0,64 €
(IVA esclusa)
0,78 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Borsa* |
1000 + | 0,64 € | 640,00 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 170-4348
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TH
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità di esaurimento a canale N Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità di esaurimento a canale N Supertex di Microchip è ideale per le applicazioni che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Caratteristiche
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Bassa capacità d'ingresso
Velocità elevata di commutazione
Bassa resistenza all'accensione
Privi di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Applicazioni
Interruttori normalmente attivi
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Relè a stato solido
Convertitori
Amplificatori lineari
Sorgenti di corrente costante
Circuiti di alimentazione
Telecomunicazioni
Il transistor (normalmente attivo) in modalità di impoverimento a canale N Microchip DN3545 utilizza una Advanced Vertical DMOS Structure e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica distruttiva, unalta impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapide velocità di commutazione. È dotato di tensione drain-source e drain-to-gate di 450V e di resistenza statica drain-source in stato attivo di 1 35Ω.
Elevata impedenza di ingresso
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Bassa capacità di ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa dispersione in ingresso e in uscita
Esente da piombo (Pb)
Contenitore TO-92 a 3 conduttori
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 130 mA |
Tensione massima drain source | 450 V |
Serie | DN3545 |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 20 Ω |
Modalità del canale | Depletion |
Numero di elementi per chip | 1 |
- Codice RS:
- 170-4348
- Codice costruttore:
- DN3545N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Link consigliati
- MOSFET Microchip 15 Ω TO-92, Su foro
- MOSFET Microchip 7 230 mA Su foro
- Transistor MOSFET Microchip 7.5 Ω TO-92, Su foro
- Transistor MOSFET Microchip 1000 Ω TO-92, Su foro
- MOSFET Microchip 5 Ω TO-92, Su foro
- Transistor MOSFET Microchip 12 Ω TO-92, Su foro
- Transistor MOSFET Microchip 25 Ω TO-92, Su foro
- MOSFET Microchip 20 Ω TO-92, Su foro