Questo transistor (normalmente inattivo) in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Privi di scarica secondaria Basso requisito di potenza di azionamento Facilità di collegamento in parallelo Basso CISS e rapida velocità di commutazione Stabilità termica eccellente Diodo source-drain integrato Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
