- Codice RS:
- 177-9865
- Codice costruttore:
- VN0104N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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Prezzo per 1pz in confezione da 20
0,724 €
(IVA esclusa)
0,883 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per Pack* |
20 - 20 | 0,724 € | 14,48 € |
40 - 80 | 0,685 € | 13,70 € |
100 + | 0,627 € | 12,54 € |
*prezzo indicativo |
- Codice RS:
- 177-9865
- Codice costruttore:
- VN0104N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- TW
Dettagli prodotto
Questo transistor (normalmente inattivo) in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, unelevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 350 mA |
Tensione massima drain source | 40 V |
Tipo di package | TO-92 |
Serie | VN0104 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 5 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 2.4V |
Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
Dissipazione di potenza massima | 1 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | 20 V |
Lunghezza | 5.08mm |
Larghezza | 4.06mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Tensione diretta del diodo | 1.8V |
Altezza | 5.33mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |