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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Microchip
	Tipo di canale	N
	Corrente massima continuativa di drain	350 mA
	Tensione massima drain source	40 V
	Tipo di package	TO-92
	Serie	VN0104
	Tipo di montaggio	Su foro
	Numero pin	3
	Resistenza massima drain source	5 Ω
	Modalità del canale	Enhancement
	Tensione di soglia gate massima	2.4V
	Tensione di soglia gate minima	0.8V
	Dissipazione di potenza massima	1 W
	Configurazione transistor	Singolo
	Tensione massima gate source	20 V
	Numero di elementi per chip	1
	Lunghezza	5.08mm
	Massima temperatura operativa	+150 °C
	Larghezza	4.06mm
	Altezza	5.33mm
	Tensione diretta del diodo	1.8V
	Minima temperatura operativa	-55 °C

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	Marchio Microchip
	Tipo di canale N
	Corrente massima continuativa di drain 350 mA
	Tensione massima drain source 40 V
	Tipo di package TO-92
	Serie VN0104
	Tipo di montaggio Su foro
	Numero pin 3
	Resistenza massima drain source 5 Ω
	Modalità del canale Enhancement
	Tensione di soglia gate massima 2.4V
	Tensione di soglia gate minima 0.8V
	Dissipazione di potenza massima 1 W
	Configurazione transistor Singolo
	Tensione massima gate source 20 V
	Numero di elementi per chip 1
	Lunghezza 5.08mm
	Massima temperatura operativa +150 °C
	Larghezza 4.06mm
	Altezza 5.33mm
	Tensione diretta del diodo 1.8V
	Minima temperatura operativa -55 °C

Datasheet

Paese di origine:: TW

Questo transistor (normalmente inattivo) in modalità potenziata utilizza una struttura DMOS verticale e un consolidato processo di produzione di gate di silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I DMOS FET verticali sono ideali per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un’elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Privi di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Basso CISS e rapida velocità di commutazione
Stabilità termica eccellente
Diodo source-drain integrato
Elevata impedenza di ingresso e alto guadagno

MOSFET Microchip, canale N, 5 Ω, 350 mA, TO-92, Su foro

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