1 MOSFET Microchip Singolo, canale N, 4.5 Ω, 350 mA 100 V, TO-92, Foro passante Miglioramento, 3 Pin TN0110N3-G
- Codice RS:
- 177-9690
- Codice costruttore:
- TN0110N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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- Codice RS:
- 177-9690
- Codice costruttore:
- TN0110N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 350mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | TN0110 | |
| Tipo di package | TO-92 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.06mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Lunghezza | 5.08mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 350mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie TN0110 | ||
Tipo di package TO-92 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.06mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Lunghezza 5.08mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
- Paese di origine:
- TW
Questo transistor a bassa soglia, in modalità di potenziamento (normalmente off), utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione collaudato con gate in silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Soglia bassa - 2.0V max.
Impedenza di ingresso elevata
Bassa capacità di ingresso - tipica 50 pF
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita
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