MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 90 V, 3 Ω Modalità di potenziamento, 350 mA, 3 Pin, TO-92-3
- Codice RS:
- 598-539
- Codice costruttore:
- VN0550N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,266 € | 1.266,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-539
- Codice costruttore:
- VN0550N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Canale N FET DMOS | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 350mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 90V | |
| Tipo di package | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Larghezza | 4.19 mm | |
| Lunghezza | 5.08mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Canale N FET DMOS | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 350mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 90V | ||
Tipo di package TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 5.33mm | ||
Larghezza 4.19 mm | ||
Lunghezza 5.08mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il transistor verticale a modalità di potenziamento del canale N Microchip utilizza una struttura a semiconduttore in ossido di metallo (DMOS) a doppia diffusione verticale insieme a un collaudato processo di fabbricazione del gate in silicio. Questa combinazione assicura che il dispositivo sia privo di guasti secondari e funzioni con un requisito di azionamento a bassa potenza, il che lo rende efficiente e affidabile per varie applicazioni.
Facilità di collegamento in parallelo
Basso requisito di potenza di azionamento
Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno