MOSFET Nexperia, canale N, 8,4 mΩ, 191 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni critiche del settore automobilistico.

Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
Carichie da 12 V e 24 V
Sistemi per uso automobilistico
Commutazione di potenza per impieghi generali
Motori, lampade e solenoidi