MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 122 mΩ Miglioramento, 5.3 A, 8 Pin, PowerDI3333, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

717,00 €

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Codice RS:
170-8877
Codice costruttore:
DMN10H120SFG-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerDI3333

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

122mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Tensione diretta Vf

0.78V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.35 mm

Altezza

0.85mm

Lunghezza

3.35mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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