MOSFET International Rectifier, canale P, 22 mΩ, 11 A, SO-8, Montaggio superficiale

La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Infineon IRF7424 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo 30V in contenitore SO-8. IL MODELLO SO-8 è stato modificato attraverso un telaio conduttore personalizzato per migliori caratteristiche termiche e capacità multi-die, il che lo rende ideale in una varietà di applicazioni di potenza.

Conformità RoHS
Qualità leader del settore
Piedini di uscita standard industriali
MOSFET a canale P.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.