2 MOSFET Toshiba Duale, canale N, 1.75 Ω, 300 mA 60 V, US, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
171-2410
Codice costruttore:
SSM6N7002KFU
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

300mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

US

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.79V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

500mW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.39nC

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

900μm

Lunghezza

2mm

Larghezza

1.25mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TH
Commutazione ad alta velocità

Resistenza all'accensione drain-source bassa

RDS(ON) = 1,05 Ω (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (@VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (@VGS = 4,5 V)

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