MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2410
Codice costruttore:: SSM6N7002KFU
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,04 €	120,00 €
6000 - 6000	0,037 €	111,00 €
9000 +	0,035 €	105,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-2410
Codice costruttore:: SSM6N7002KFU
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	1,75 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.1V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	2
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.25mm
Lunghezza	2mm
Carica gate tipica @ Vgs	0,39 nC a 4,5 V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Altezza	0.9mm
Tensione diretta del diodo	1.1V

MOSFET Toshiba, canale N, 1,75 Ω, 300 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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