1 MOSFET Toshiba Singolo, canale N, 92 mΩ, 3.5 A 100 V, SOT-23, Montaggio superficiale Miglioramento, 3 Pin SSM3K361R
- Codice RS:
- 171-2477P
- Codice costruttore:
- SSM3K361R
- Costruttore:
- Toshiba
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
28,10 €
(IVA esclusa)
34,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1050 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 475 | 0,281 € |
| 500 - 975 | 0,262 € |
| 1000 + | 0,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-2477P
- Codice costruttore:
- SSM3K361R
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 92mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.4W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Larghezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Altezza | 700μm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 92mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.4W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Larghezza 1.8mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Altezza 700μm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- TH
Interruttori di gestione dell'alimentazione
Convertitori cc-cc
MOSFET 175
Azionamento 4,5 V
Bassa resistenza drenaggio-sorgente all'accensione
RDS(ON) = 65 mΩ (tip.) (a VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 51 mΩ (tip.) (a VGS = 10 V)