2 MOSFET Toshiba, canale Tipo N, 20 Ω 20 V, SOT-563 Miglioramento, 6 Pin SSM6N35FE
- Codice RS:
- 171-2510
- Codice costruttore:
- SSM6N35FE
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 171-2510
- Codice costruttore:
- SSM6N35FE
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-563 | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 10 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.2mm | |
| Larghezza | 1.6 mm | |
| Altezza | 0.55mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-563 | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.2mm | ||
Larghezza 1.6 mm | ||
Altezza 0.55mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
- Paese di origine:
- TH
Azionamento 1,2 V
Canale N 2-in-1
Bassa resistenza all'accensione: Ron = 20 Ω (max) (a VGS = 1,2 V)
Ron = 8 Ω (max) (a VGS = 1,5 V)
Ron = 4 Ω (max) (a VGS = 2,5 V)
Ron = 3 Ω (max) (a VGS = 4,0 V)
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