MOSFET Toshiba, canale N, 20 Ω, 180 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2510
Codice costruttore:: SSM6N35FE
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 20 Ω, 180 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2510
Codice costruttore:: SSM6N35FE
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-563
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	20 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	150 mW
Tensione massima gate source	±10 V
Larghezza	1.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	1.2mm
Altezza	0.55mm

MOSFET Toshiba, canale N, 20 Ω, 180 mA, SOT-563, Montaggio superficiale

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