MOSFET Taiwan Semiconductor, canale Tipo N 60 V, 28 mΩ Miglioramento, 50 A, 4 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 171-3703P
- Codice costruttore:
- TSM230N06CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Prezzo per 25 unità (fornito in una striscia continua)*
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-3703P
- Codice costruttore:
- TSM230N06CP ROG
- Costruttore:
- Taiwan Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 28mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 53W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Larghezza | 5.8 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | IEC 61249 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Taiwan Semiconductor | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 28mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 53W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Larghezza 5.8 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico IEC 61249 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N 60V, 50A, 28mΩ, a 3 pin di Taiwan Semiconductor è dotato di configurazione a transistor singolo e modalità canale di miglioramento.
Testato con effetto valanga al 100%
Commutazione rapida
Conformità RoHS
Temperatura d'esercizio compresa tra -55 °C e +150 °C.
Dissipazione di potenza max. 53W
La tensione di soglia del gate è compresa tra 1,2 V-2,5 V.