MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 19 mΩ, 11 A, SOP, Montaggio superficiale

Marchio

Taiwan Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

11 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

19 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±20 V

Larghezza

3.9mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

4.85mm

Carica gate tipica @ Vgs

64 nC a 10 V

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.37mm

Tensione diretta del diodo

1.3V