MOSFET onsemi, canale N 30 V, 3.1 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NTTFS4C02NTAG
- Codice RS:
- 171-8393P
- Codice costruttore:
- NTTFS4C02NTAG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 171-8393P
- Codice costruttore:
- NTTFS4C02NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 29A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Serie | NTTFS4C02N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 4.2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 750μm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Larghezza | 3.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 29A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Serie NTTFS4C02N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 4.2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 750μm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Larghezza 3.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza 30 V 170 A 2,25 mOhm canale N singolo μ8FL
Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione
Bassa capacità per ridurre le perdite di driver
Carica di gate ottimizzata per ridurre le perdite di commutazione
Questi dispositivi sono senza piombo, alogeni o BFR
Applicazioni
Convertitori c.c.-c-c.
Interruttore di distribuzione di carico
Gestione della batteria del notebook