MOSFET ROHM, canale N, 118 mΩ, 2,5 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-9804
Codice costruttore:: RQ5E025SNTL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 118 mΩ, 2,5 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-9804
Codice costruttore:: RQ5E025SNTL
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TSMT-3
Serie	RQ5E025SN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	118 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET ROHM, canale N, 118 mΩ, 2,5 A, TSMT-3, Montaggio superficiale

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