MOSFET onsemi, canale N 40 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 59 A, 4 Pin, TO-252, Superficie NVD5C464NT4G
- Codice RS:
- 172-3367P
- Codice costruttore:
- NVD5C464NT4G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
135,80 €
(IVA esclusa)
165,70 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 20 settembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 225 | 1,358 € |
| 250 + | 1,177 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 172-3367P
- Codice costruttore:
- NVD5C464NT4G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 59A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | NVD5C464N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.25mm | |
| Larghezza | 6.22mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 59A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie NVD5C464N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.25mm | ||
Larghezza 6.22mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per i vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.
700 V a TJ= 150 °C
Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio
Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 259 nC)
Minore perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 1972 pF)
Minore perdita di commutazione
Diodo integrato con prestazioni eccellenti (bassa carica di recupero inverso, diodo integrato resistente)
Maggiore affidabilità del sistema in LLC e circuito a ponte completo con commutazione di fase
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
Tip. RDS(on) = 23 mΩ