MOSFET onsemi, canale N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie
- Codice RS:
- 172-3379P
- Codice costruttore:
- NVTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 172-3379P
- Codice costruttore:
- NVTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | NVTFS6H850N | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 107W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.15mm | |
| Altezza | 750μm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie NVTFS6H850N | ||
Tipo di package WDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 107W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.15mm | ||
Altezza 750μm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5x6mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico.
Ingombro ridotto (5x6 mm)
Design compatto
Bassa resistenza RDS(on)
Riduce la perdita di conduzione
QG e capacità bassi
Riduce le perdite di driver
NVMFD5C446NLWF - Opzione con fiancata bagnabile
Ispezione visiva migliorata
Capacità PPAP
Applicazioni
Driver solenoide
Driver low side /high side
Controller motore nel settore automobilistico
Sistemi di frenatura antiblocco
