MOSFET onsemi, canale N 650 V, 199 mΩ Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 172-4630P
- Codice costruttore:
- FCB199N65S3
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 172-4630P
- Codice costruttore:
- FCB199N65S3
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | FCB | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 199mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 98W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie FCB | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 199mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 98W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN