MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 203 A, 5 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 172-8781
- Codice costruttore:
- NTMFS6H800NT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 172-8781
- Codice costruttore:
- NTMFS6H800NT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 203A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NTMFS6H800N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 203A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NTMFS6H800N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
On Semiconductor
Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale on Semiconductor DFN5 è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 2,1 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 203A e una dissipazione di potenza massima di 200W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 6V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Design compatto
• senza piombo (Pb)
• QG basso e capacità
• QG basso e capacità per ridurre al minimo le perdite di driver
• RDS basso (ON) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Ridurre Al Minimo le perdite di conduzione
• Ridurre Al Minimo le perdite dei conducenti
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• ingombro ridotto (5x6 mm)
Applications
• sistemi 48V
• convertitore CC/CC
• interruttore di carico
• Controllo motori
• interruttori di alimentazione (lato alto conducente, lato basso conducente, ponti H, ecc.)
• alimentatori switching
• raddrizzatore sincrono
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
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