MOSFET onsemi, canale N, 3,5 mΩ, 203 A, DFN, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale on Semiconductor DFN5 è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 80V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 2,1 Mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 203A e una dissipazione di potenza massima di 200W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 6V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Design compatto
• senza piombo (Pb)
• QG basso e capacità
• QG basso e capacità per ridurre al minimo le perdite di driver
• RDS basso (ON) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Ridurre Al Minimo le perdite di conduzione
• Ridurre Al Minimo le perdite dei conducenti
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• ingombro ridotto (5x6 mm)

• sistemi 48V
• convertitore CC/CC
• interruttore di carico
• Controllo motori
• interruttori di alimentazione (lato alto conducente, lato basso conducente, ponti H, ecc.)
• alimentatori switching
• raddrizzatore sincrono

• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007