MOSFET Semelab, canale N, 9 Ω, 170 mA, TO-18, Su foro
- Codice RS:
- 177-5489
- Codice costruttore:
- VN10K
- Costruttore:
- Semelab
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- Codice RS:
- 177-5489
- Codice costruttore:
- VN10K
- Costruttore:
- Semelab
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semelab | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 170 mA | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | TO-18 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 9 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 2.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 313 mW | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -3 V, +15 V | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Lunghezza | 5.84mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semelab | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 170 mA | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package TO-18 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 9 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 2.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 313 mW | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -3 V, +15 V | ||
Materiale del transistor Si | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Lunghezza 5.84mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
- Paese di origine:
- GB
Transistor MOSFET a canale N, Semelab
Transistor MOSFET, Semelab
