MOSFET Semelab, canale N, 5 A, SOIC, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 177-5490
- Codice costruttore:
- D1011UK
- Costruttore:
- Semelab
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- Codice RS:
- 177-5490
- Codice costruttore:
- D1011UK
- Costruttore:
- Semelab
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semelab | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 5 A | |
| Tensione massima drain source | 70 V | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Serie | TetraFET | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 7V | |
| Dissipazione di potenza massima | 30 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Larghezza | 5.08mm | |
| Massima temperatura operativa | +200 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Lunghezza | 4.06mm | |
| Altezza | 2.18mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semelab | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 5 A | ||
Tensione massima drain source 70 V | ||
Tipo di package SOIC | ||
Serie TetraFET | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 7V | ||
Dissipazione di potenza massima 30 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Larghezza 5.08mm | ||
Massima temperatura operativa +200 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Lunghezza 4.06mm | ||
Altezza 2.18mm | ||
- Paese di origine:
- GB
Transistor MOSFET RF, Semelab
Transistor MOSFET, Semelab