2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo P, Tipo N, 21.4 mΩ, 9 A 30 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin SH8MA4TB1

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Codice RS:
177-6205
Codice costruttore:
SH8MA4TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SH8MA4

Tipo di package

SOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.6mm

Lunghezza

5.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.05mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
TH
Il modello SH8MA4TB1 è un piccolo MOSFET a bassa resistenza in stato attivo e in contenitore a montaggio superficiale. È adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni (SOP8).

Placcatura senza piombo

Senza alogeni.

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