MOSFET ROHM, canale N, P, 21,4 mΩ, 9 A, SOP, Montaggio superficiale

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Codice RS:
177-6205
Codice costruttore:
SH8MA4TB1
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

9 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOP

Serie

SH8MA4

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

21,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

3 W

Tensione massima gate source

±20 V

Lunghezza

5.2mm

Carica gate tipica @ Vgs

15,5 nC a 10 V (Tr1), 19,6 nC a 10 V (Tr2)

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

4mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.6mm

Esente

Paese di origine:
TH
Il modello SH8MA4TB1 è un piccolo MOSFET a bassa resistenza in stato attivo e in contenitore a montaggio superficiale. È adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni (SOP8).

Placcatura senza piombo

Senza alogeni.

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