MOSFET ROHM, canale N, P, 80 mΩ, 4,5 A, SOP, Montaggio superficiale

Codice RS:: 177-6673
Codice costruttore:: SH8MA2GZETB
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, P, 80 mΩ, 4,5 A, SOP, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 177-6673
Codice costruttore:: SH8MA2GZETB
Costruttore:: ROHM

Datasheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	4,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOP
Serie	SH8MA2
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2 (Tr1) V, 2 (Tr2) V
Tensione di soglia gate minima	1 (Tr1) V, 1 (Tr2) V
Dissipazione di potenza massima	2,7 W
Tensione massima gate source	±20 V (Tr1, Tr2)
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	4.05mm
Carica gate tipica @ Vgs	3 nC a 10 V (Tr1), 6,7 nC a 10 V (Tr2)
Lunghezza	5.2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.6mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale N, P, 80 mΩ, 4,5 A, SOP, Montaggio superficiale

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