2 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo P, Tipo N, 80 mΩ, 4.5 A 30 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin SH8MA2GZETB

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

8,90 €

(IVA esclusa)

10,86 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 2500 unità in spedizione dal 09 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 +0,445 €8,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
177-6673
Codice costruttore:
SH8MA2GZETB
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SH8MA2

Tipo di package

SOP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Altezza

1.6mm

Lunghezza

5.2mm

Larghezza

4.05 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
TH
Il modello SH8MA2 è un MOSFET di potenza con bassa resistenza in stato attivo, adatto per la commutazione.

Bassa resistenza in stato attivo.

Contenitore per montaggio superficiale di piccole dimensioni (SOP8).

Placcatura senza piombo

Senza alogeni.

Link consigliati