MOSFET Vishay, canale P, 11 mΩ, 50 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
177-7493
Codice costruttore:
SQM50P03-07_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

50 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Serie

SQ Rugged

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

11 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1.5V

Dissipazione di potenza massima

150 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

9.652mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

103,5 nC a 10 V

Lunghezza

10.41mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

4.826mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
TW

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor



Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

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