- Codice RS:
- 177-9760P
- Codice costruttore:
- 2N7000-G
- Costruttore:
- Microchip
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Prezzo per Pezzo (Fornito in busta)
0,358 €
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0,437 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
---|---|
100 + | 0,358 € |
- Codice RS:
- 177-9760P
- Codice costruttore:
- 2N7000-G
- Costruttore:
- Microchip
- Paese di origine:
- TW
MOSFET con Microchip Technology
Il MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 200mA e una dissipazione di potenza massima di 1W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è un MOSFET in modalità di miglioramento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione di gate in silicio ben collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Caratteristica significativa di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di breakdown secondari termici e indotti termicamente. Questo DMOS FET verticale è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Facilità di messa in parallelo
• Stabilità termica eccellente
• esente da guasti secondari
• elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato
• diodo di scarico sorgente Integrato
• bassa CISS e velocità di commutazione elevate
• requisiti di azionamento a bassa potenza
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
• Stabilità termica eccellente
• esente da guasti secondari
• elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato
• diodo di scarico sorgente Integrato
• bassa CISS e velocità di commutazione elevate
• requisiti di azionamento a bassa potenza
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
Applications
Amplificatori •
• Convertitori
• driver: Relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.
• comandi dei motori
• circuiti di alimentazione
• Interruttori
• Convertitori
• driver: Relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.
• comandi dei motori
• circuiti di alimentazione
• Interruttori
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
Tensione massima drain source | 60 V |
Serie | 2N7000 |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 5,3 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3V |
Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
Dissipazione di potenza massima | 1 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | 30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 5.08mm |
Larghezza | 4.06mm |
Tensione diretta del diodo | 0.85V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 5.33mm |
- Codice RS:
- 177-9760P
- Codice costruttore:
- 2N7000-G
- Costruttore:
- Microchip
- Paese di origine:
- TW
MOSFET con Microchip Technology
Il MOSFET a canale N con montaggio a foro passante Microchip Technology è un nuovo prodotto di età con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 30V. Ha una resistenza drain-source di 5ohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una corrente di drain continua di 200mA e una dissipazione di potenza massima di 1W. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è rispettivamente di 4,5 V e 10V. Il MOSFET è un MOSFET in modalità di miglioramento (normalmente spento) che utilizza una struttura DMOS verticale e un processo di produzione di gate in silicio ben collaudato. Questa combinazione produce un dispositivo con le funzionalità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari, con alta impedenza di ingresso e coefficiente di temperatura positivo intrinseco nei dispositivi MOS. Caratteristica significativa di tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di breakdown secondari termici e indotti termicamente. Questo DMOS FET verticale è stato ottimizzato per minori perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga e produttiva durata senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Facilità di messa in parallelo
• Stabilità termica eccellente
• esente da guasti secondari
• elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato
• diodo di scarico sorgente Integrato
• bassa CISS e velocità di commutazione elevate
• requisiti di azionamento a bassa potenza
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
• Stabilità termica eccellente
• esente da guasti secondari
• elevata impedenza di ingresso e guadagno elevato
• diodo di scarico sorgente Integrato
• bassa CISS e velocità di commutazione elevate
• requisiti di azionamento a bassa potenza
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 150°C.
Applications
Amplificatori •
• Convertitori
• driver: Relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.
• comandi dei motori
• circuiti di alimentazione
• Interruttori
• Convertitori
• driver: Relè, martelli, solenoidi, lampade, memorie, display, transistor bipolari, ecc.
• comandi dei motori
• circuiti di alimentazione
• Interruttori
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
• bs en 61340-5-1:2007
• JEDEC
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 200 mA |
Tensione massima drain source | 60 V |
Serie | 2N7000 |
Tipo di package | TO-92 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 5,3 Ω |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3V |
Tensione di soglia gate minima | 0.8V |
Dissipazione di potenza massima | 1 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | 30 V |
Numero di elementi per chip | 1 |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 5.08mm |
Larghezza | 4.06mm |
Tensione diretta del diodo | 0.85V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 5.33mm |