MOSFET Vishay, canale N 200 V, 180 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRL640SPBF

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Codice RS:
178-0857
Codice costruttore:
IRL640SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

IRL

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

180mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Tensione diretta Vf

2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65mm

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 200V a 250V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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