MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD120PBF

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
178-0921
Codice costruttore:
IRFD120PBF
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

HVMDIP

Serie

IRFD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

2.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

6.29 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati