MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 270 mΩ Miglioramento, 1.3 A, 4 Pin, HVMDIP, Foro passante IRFD120PBF

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Codice RS:
178-0921
Codice costruttore:
IRFD120PBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

IRFD

Tipo di package

HVMDIP

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Tensione diretta Vf

2.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

6.29 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.37mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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