2 MOSFET Vishay Siliconix Duale, canale Tipo N, 60 mΩ, 6 A 60 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 178-3851P
- Codice costruttore:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
Prezzo per 100 unità (fornito in una striscia continua)*
59,40 €
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72,50 €
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 475 | 0,594 € |
| 500 - 975 | 0,523 € |
| 1000 + | 0,454 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-3851P
- Codice costruttore:
- SQS966ENW-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay Siliconix
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay Siliconix | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.82V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 27.8W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1.07mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Larghezza | 3.15 mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay Siliconix | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK 1212 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.82V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 27.8W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1.07mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Larghezza 3.15 mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Esente
- Paese di origine:
- CN