MOSFET onsemi, canale N, 3,1 mΩ, 147 A, PQFN8, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 178-4257
- Codice costruttore:
- NTMFS08N003C
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
15.660,00 €
(IVA esclusa)
19.110,00 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,22 € | 15.660,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4257
- Codice costruttore:
- NTMFS08N003C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 147 A | |
| Tensione massima drain source | 80 V | |
| Tipo di package | PQFN8 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima drain source | 3,1 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2V | |
| Dissipazione di potenza massima | 125 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | ±20 V | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 52 nC a 10 V | |
| Larghezza | 6mm | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Tensione diretta del diodo | 1.3V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 147 A | ||
Tensione massima drain source 80 V | ||
Tipo di package PQFN8 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima drain source 3,1 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4V | ||
Tensione di soglia gate minima 2V | ||
Dissipazione di potenza massima 125 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source ±20 V | ||
Lunghezza 5mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Carica gate tipica @ Vgs 52 nC a 10 V | ||
Larghezza 6mm | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 1.05mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Tensione diretta del diodo 1.3V | ||
- Paese di origine:
- PH
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench di ON Semiconductor che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Caratteristiche
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 3,1 mΩ a VGS = 10 V, ID = 56A
Max. rDS(on) = 8,1 mΩ a VGS = 6 V, ID = 28 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1
Applicazioni
MOSFET c.c.-c.c. primario
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Azionamenti a motore
Inverter solari
Interruttore di distribuzione di carico
Prodotti finali
Adattatori di rete
Alimentatori c.c.-c.c.
Utensili elettrici
Droni
Batterie
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 3,1 mΩ a VGS = 10 V, ID = 56A
Max. rDS(on) = 8,1 mΩ a VGS = 6 V, ID = 28 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1
Applicazioni
MOSFET c.c.-c.c. primario
Raddrizzatore sincrono in c.c.-c.c. e c.a.-c.c.
Azionamenti a motore
Inverter solari
Interruttore di distribuzione di carico
Prodotti finali
Adattatori di rete
Alimentatori c.c.-c.c.
Utensili elettrici
Droni
Batterie