MOSFET onsemi, canale N, 7,7 mΩ, 45 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-4401
Codice costruttore:: NVD5C478NLT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 7,7 mΩ, 45 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-4401
Codice costruttore:: NVD5C478NLT4G
Costruttore:: onsemi

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	45 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	7,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	30 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	92 nC a 4,5 V
Altezza	2.25mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

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