MOSFET onsemi, canale N 120 V, 4 mΩ Miglioramento, 67 A, 8 Pin, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 178-4409P
- Codice costruttore:
- FDMS4D0N12C
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 178-4409P
- Codice costruttore:
- FDMS4D0N12C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 67A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Serie | FDMS | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 106W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 67A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Serie FDMS | ||
Tipo di package PQFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 106W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Questo MOSFET MV canale N è prodotto utilizzando il processo avanzato PowerTrench® che incorpora la tecnologia con gate schermato. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max. rDS(on) = 4,0 mΩ a VGS = 10 V, ID = 67 A
Max. rDS(on) = 8,0 mΩ a VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Struttura robusta del contenitore MSL1
Applicazioni:
Questo prodotto è per uso generale ed è adatto a molte applicazioni diverse.
Prodotti finali:
Alimentatore c.a.-c.c. e c.c.-c.c.