MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 68 A, 8 Pin, WDFN, Superficie
- Codice RS:
- 178-4439P
- Codice costruttore:
- NTTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-4439P
- Codice costruttore:
- NTTFS6H850NTAG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 68A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | WDFN | |
| Serie | NTTFS6H850N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 107W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Lunghezza | 3.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 68A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package WDFN | ||
Serie NTTFS6H850N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 107W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 0.75mm | ||
Lunghezza 3.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- MY
MOSFET di potenza per uso commerciale in contenitore con cavo piatto 3x3mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse.
Caratteristiche
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa carica di gate
Ingombro ridotto (3x3 mm)
Vantaggi
Riduzione al minimo delle perdite di conduzione
Riduzione al minimo delle perdite di commutazione
Design compatto
Applicazioni
Protezione dalle inversioni di polarità della batteria
Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.)
Rettifica sincrona
Prodotti finali
Controllo motori
Gestione di batterie
Alimentatori switching