MOSFET onsemi, canale N 150 V, 22 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
178-4442P
Codice costruttore:
FDD86250-F085
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-252

Serie

FDD

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.25V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Gate schermato a canale N PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ

Tipico RDS(on) = 19,4 mΩ a VGS = 10 V, ID = 20 A

Tipico Qg(tot) = 28 nC a VGS = 10 V, ID = 40 A

Funzionalità UIS

Applicazioni:

Controllo motori nel settore automobilistico

Gestione della trasmissione

Solenoide e azionamenti per motori

Architetture di alimentazione distribuita e VRM

Interruttore principale per sistemi a 12 V

Prodotti finali:

Motorino di avviamento/alternatore integrato

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