MOSFET onsemi, canale N 650 V, 110 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante NTHL110N65S3F
- Codice RS:
- 178-4486P
- Codice costruttore:
- NTHL110N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
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- NTHL110N65S3F
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 30A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 240W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 30A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 240W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS